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dc.contributor.author趙國勝en_US
dc.contributor.authorKau-Sheng Chaoen_US
dc.contributor.author褚德三en_US
dc.contributor.authorDer-San Chuuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:24:52Z-
dc.date.available2014-12-12T02:24:52Z-
dc.date.issued2000en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT890198004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/66692-
dc.description.abstract本論文的主旨在研究III族氮化物薄膜(GaN)和多層量子井結構的光激冷光(luminescence)的特性。在此研究中,我們先利用波長325nm的氦鎘雷射光去激發樣品,得知外層電子的能帶結構。我們發現樣品之光激冷光譜與薄膜、基板、空氣三者所構成的微共振腔耦合,而呈現規則震盪。此發現顯示:可藉由進一步的結構設計,來增強或控制其冷光特性。 其次藉由同步輻射X光吸收精細結構能譜(X-ray absorption fine structure spectrum)以及X光激冷光光譜(X-ray excited optical luminescence)的分析,我們運用同步輻射可調變光源波長之特性,針對波長為氮的K-edge(401.6 eV)、鎵的L-edge(LI-edge、LII-edge、LIII-edge分別是1297.7eV、1142.4 eV、1115.4 eV)、鎵的K-edge(10367.1 eV)附近,進行一系列實驗來釐清光激冷光機制與鍵結結構之關聯性。 在波長為氮的K-edge附近,光激冷光的發光效益是減少的。可能是由於入射的同步輻射光能量範圍在氮的K-edge附近與所有樣品的厚度之間產生有效厚度(effective thickness)的關係,而使得光激冷光的效益(photoluminescence yield)在氮的K-edge附近出現往下的躍遷。 而在鎵的L-edge附近,我們發現所有銦氮化鎵的圖形都相當一致,但是與氮化鎵的圖形卻是大為不同,說明在銦氮化鎵薄膜和多層量子井結構的光激冷光,可能有同一種主要發光機制,這可能是量子點發光的間接證據。其次,在摻雜矽的氮化鎵樣品中,我們發現在鎵的LIII-edge附近,光激冷光是增強的。我們認為這可能是,入射的同步輻射光能量在鎵的LIII-edge附近與摻雜矽的氮化鎵樣品厚度的關係,使得其在鎵的LIII-edge附近的發光效益是往上躍遷的。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氮化鎵zh_TW
dc.subjectX光吸收zh_TW
dc.subjectGaNen_US
dc.title多層量子井氮化鎵薄膜的X光吸收精細結構研究zh_TW
dc.titleX-ray absorption fine structure studies of gallium nitride multi-quantum wellsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department物理研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文