具有電場感應汲極的蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體之研究

Abstract

在本篇論文中，我們製作具有電場感應汲極的蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體，並研究其特性。此一元件在結構上的特性包括：利用未摻雜的多晶矽作為通道，在靠近汲極端有一段補償區、在整個元件的最上方有一用來控制補償區的副閘極以及鈷金屬矽化源/汲極。其中多晶矽通道是由準分子雷射退火或固相再結晶這兩種方法形成。 我們比較了由這兩種方法製成的元件的特性，並探討副閘極偏壓、主通道長度以及補償區長度對元件特性的影響。由準分子雷射退火製成的元件展現了絕佳的特性，包含陡峭的次臨界斜率和良好的開關電流比。同一顆元件不管操作在n型通道模式還是p型通道模式，開關電流比皆超過108。 為了探討元件的漏電流機制，我們分析了不同溫度下的漏電流。研究結果顯示熱激發放射是主要的漏電流機制。