統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響 | 141 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 21 |
| 台灣 | 20 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 92 |
| Menlo Park | 17 |
| Taipei | 14 |
| Kensington | 4 |
| Nanjing | 3 |
| Beijing | 2 |
| Wuxi | 2 |
| Yünlin | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響 | 141 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 21 |
| 台灣 | 20 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 92 |
| Menlo Park | 17 |
| Taipei | 14 |
| Kensington | 4 |
| Nanjing | 3 |
| Beijing | 2 |
| Wuxi | 2 |
| Yünlin | 1 |