統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 具有源極汲極應變矽鍺與嵌入式矽鍺通道之28奈米和下世代P型金氧半場效電晶體特性之研究 | 140 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 具有源極汲極應變矽鍺與嵌入式矽鍺通道之28奈米和下世代P型金氧半場效電晶體特性之研究 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 181101.pdf | 22 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 106 |
| 美國 | 19 |
| 台灣 | 13 |
| 英國 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 12 |
| Beijing | 10 |
| Taipei | 8 |
| Kensington | 6 |
| Edmond | 1 |
| Hsinchu | 1 |