統計資料
總造訪次數
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|---|---|
| 藉由氮化鋁層間鈍化層之插入改善氮化矽氮化鋁鎵/氮化鎵金屬絕緣半導體高電子遷移率電晶體之漏電流及電流潰散效應 | 127 |
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| Taipei | 6 |
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| Kirksville | 1 |
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