統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 藉由高介電質材料做表面鈍化及閘極絕緣層改善氮化鋁鎵/氮化鎵之高電子遷移率電晶體元件特性 | 113 |
本月總瀏覽
| 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 藉由高介電質材料做表面鈍化及閘極絕緣層改善氮化鋁鎵/氮化鎵之高電子遷移率電晶體元件特性 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 14 |
| 台灣 | 2 |
| 日本 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 91 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 6 |
| Beijing | 5 |
| Taipei | 2 |
| Mountain View | 1 |