統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 利用一新穎位移曝光技術所製造之0.1 μm Г形閘極AlGaAs/InGaAs 高電子遷移率功率電晶體 | 116 |
本月總瀏覽
| 四月 2024 | 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 利用一新穎位移曝光技術所製造之0.1 μm Г形閘極AlGaAs/InGaAs 高電子遷移率功率電晶體 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 852502.pdf | 4 |
| 852501.pdf | 3 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 100 |
| 美國 | 10 |
| 愛爾蘭 | 2 |
| AP | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 90 |
| Beijing | 7 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 3 |
| Hebei | 1 |
| Hefei | 1 |