統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 以磷化銦基材之量子井結構為半導體飽和吸收體實現1.3μm 被動式Q-開關雷射 | 122 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 150201.pdf | 39 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 20 |
| 台灣 | 4 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Menlo Park | 13 |
| Kensington | 5 |
| Taipei | 3 |
| Beijing | 1 |
| Edmond | 1 |
| Guangzhou | 1 |
| Wilmington | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 以磷化銦基材之量子井結構為半導體飽和吸收體實現1.3μm 被動式Q-開關雷射 | 122 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 150201.pdf | 39 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 20 |
| 台灣 | 4 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Menlo Park | 13 |
| Kensington | 5 |
| Taipei | 3 |
| Beijing | 1 |
| Edmond | 1 |
| Guangzhou | 1 |
| Wilmington | 1 |