低臨界值半導體雷射激發摻釹釩酸釓被動鎖模雷射在半導體飽和吸收鏡及非線性鏡之相關研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	楊文勛	en_US
dc.contributor.author	謝文峰	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:46:27Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:46:27Z	-
dc.date.issued	2004	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009224545	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/76738	-
dc.description.abstract	我們分別利用半導體飽和吸收鏡以及非線性鏡鎖模兩種方式，得到了低臨界值連續波鎖模的摻釹釩酸釓皮秒脈衝雷射輸出。在實驗中，我們所得到的連續波鎖模臨界值，與考慮連續波鎖模穩定條件之理論計算出的數值非常吻合。除此之外，我們也首次在非線性鏡鎖模皮秒雷射中觀察到，伴隨著改變KTP晶體以及雙色鏡之間的距離時，會出現諧頻鎖模以及脈衝分裂的現象。	zh_TW
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	鎖模	zh_TW
dc.subject	非線性鏡	zh_TW
dc.subject	半導體飽和吸收鏡	zh_TW
dc.subject	Nd:GdVO4	zh_TW
dc.subject	脈衝分裂	zh_TW
dc.subject	諧頻鎖模	zh_TW
dc.subject	Mode-locking	en_US
dc.subject	Nonlinear mirror mode-locked	en_US
dc.subject	Semiconductor saturable absorber mirror	en_US
dc.subject	Nd:GdVO4	en_US
dc.subject	Pulse splitting	en_US
dc.subject	Harmonic mode-locking	en_US
dc.title	低臨界值半導體雷射激發摻釹釩酸釓被動鎖模雷射在半導體飽和吸收鏡及非線性鏡之相關研究	zh_TW
dc.title	Low Threshold Passively Mode-Locked Diode-Pumped Nd:GdVO4 Laser by Semiconductor Saturable Absorber and Nonlinear Mirror	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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