統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 以電漿輔助化學氣相沉積法成長多矽氧化矽暨研製金氧半發光二極體之製程與特性分析 | 121 |
本月總瀏覽
| 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 以電漿輔助化學氣相沉積法成長多矽氧化矽暨研製金氧半發光二極體之製程與特性分析 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 14 |
| 台灣 | 3 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 烏克蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 92 |
| Beijing | 7 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 5 |
| Edmond | 2 |
| Kaohsiung | 1 |
| Taichung | 1 |