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dc.contributor.author邱祺雄en_US
dc.contributor.authorChi-Hsiung Chiuen_US
dc.contributor.author林登松en_US
dc.contributor.authorDeng-Sung Linen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:47:30Z-
dc.date.available2014-12-12T02:47:30Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009227507en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/76910-
dc.description.abstract本文主要是研究氯化鉀薄層在Si(100)-2□1上的原子結構。有別於以往文獻中直接蒸鍍離子固體到樣品表面上的方法;我們的實驗方法是分別吸附氯和鉀原子到矽(100)表面上,可以藉此觀察氯化鉀在矽(100)表面上的成長機制並得到單層的氯化鉀薄層於矽(100)表面上的原子結構。由掃描取得的STM影像我們得知: (a).在Si(100)-2□1:Cl表面上蒸鍍鉀,鉀原子會在表面上移動,在表面能量降低的狀態下逐漸的與氯鍵結形成氯化鉀薄層,並慢慢擴大薄層的面積。 (b).成長的模式是以單層氯化鉀薄層的方式成長。 (c).由STM影像中我們可以推論氯化鉀在矽晶面上為2□2的原子結構,晶格常數上的差異使得氯化鉀的原子結構有所不同。 (d).偶極距方向為平行樣品表面的方向。 (e).我們交換原子吸附到矽(100)表面上的順序,一樣能夠得到相似的氯化鉀薄層之原子結構 (f).在本實驗室過去對氯化鉀在矽晶面上使用XPS的研究結果得知氯化鉀與矽之介面沒有電子轉移現象,而為類似地毯附著在表面。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氯化鉀zh_TW
dc.subject掃描穿遂顯微鏡zh_TW
dc.subjectKClen_US
dc.subjectSTMen_US
dc.title氯化鉀在矽(100)晶面上的原子結構zh_TW
dc.titleThe structure of KCl on the Si(100) surfaceen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department物理研究所zh_TW
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