Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 鄭人夤 | en_US |
dc.contributor.author | Jen-Yin Cheng | en_US |
dc.contributor.author | 林登松 | en_US |
dc.contributor.author | Deng-Sung Lin | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:47:30Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:47:30Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009227509 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/76912 | - |
dc.description.abstract | 本論文探討氫與氯同時吸附於Si(100)-2´1表面之後的原子分佈。我們於樣品表面上直接曝HCl氣體,HCl分子會自發裂解產生H和Cl原子,並吸附於Si表面的斷鍵上。我們想要了解,這兩種原子在鄰近位置上的吸附機率和原子之間有何影響。 我們將樣品溫度分別控制在低溫(110K)、室溫(300K)及高溫(450K)的溫度下,於樣品表面上直接曝HCl氣體的方式,使得H原子與Cl原子吸附並且曝滿在Si(100)-2´1表面上。用掃描穿隧顯微鏡(STM)掃描表面取得影像。由我們觀察所取得的影像,可以計算Cl原子在Si表面上的分佈關聯,並得到以下的論點。 1. 理論上在曝滿HCl的Si表面上,H、Cl原子分佈比率應該分別接近0.5ML。但是曝HCl在室溫的樣品上,所得到的Cl原子覆蓋率約為0.46ML。曝HCl在高溫及低溫的樣品上,所得到的Cl原子覆蓋率約為0.4ML。而H原子的覆蓋率在0.53~0.59ML之間,樣品缺陷約佔0.01~0.05ML。 2. 曝HCl在低溫樣品上,我們觀察到許多Cl原子形成局部2´2的排列。 3. 在所有溫度下,靠近基準點Cl最近的三、四個位置中,也吸附Cl的機會是較低的,表示在這些Cl原子吸附的位置中有著較強的排斥位能。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 氫,氯 | zh_TW |
dc.subject | 同時吸附 | zh_TW |
dc.subject | 空間分佈關聯 | zh_TW |
dc.subject | H , Cl | en_US |
dc.subject | co-adsorbed | en_US |
dc.subject | site correlation | en_US |
dc.title | 氫、氯在矽表面上同時吸附的空間分佈關聯 | zh_TW |
dc.title | Site Correlation of co-adsorbed H and Cl on Si(100)-2x1 | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 物理研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |
Files in This Item:
If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.