Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author鄭人夤en_US
dc.contributor.authorJen-Yin Chengen_US
dc.contributor.author林登松en_US
dc.contributor.authorDeng-Sung Linen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:47:30Z-
dc.date.available2014-12-12T02:47:30Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009227509en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/76912-
dc.description.abstract本論文探討氫與氯同時吸附於Si(100)-2´1表面之後的原子分佈。我們於樣品表面上直接曝HCl氣體,HCl分子會自發裂解產生H和Cl原子,並吸附於Si表面的斷鍵上。我們想要了解,這兩種原子在鄰近位置上的吸附機率和原子之間有何影響。 我們將樣品溫度分別控制在低溫(110K)、室溫(300K)及高溫(450K)的溫度下,於樣品表面上直接曝HCl氣體的方式,使得H原子與Cl原子吸附並且曝滿在Si(100)-2´1表面上。用掃描穿隧顯微鏡(STM)掃描表面取得影像。由我們觀察所取得的影像,可以計算Cl原子在Si表面上的分佈關聯,並得到以下的論點。 1. 理論上在曝滿HCl的Si表面上,H、Cl原子分佈比率應該分別接近0.5ML。但是曝HCl在室溫的樣品上,所得到的Cl原子覆蓋率約為0.46ML。曝HCl在高溫及低溫的樣品上,所得到的Cl原子覆蓋率約為0.4ML。而H原子的覆蓋率在0.53~0.59ML之間,樣品缺陷約佔0.01~0.05ML。 2. 曝HCl在低溫樣品上,我們觀察到許多Cl原子形成局部2´2的排列。 3. 在所有溫度下,靠近基準點Cl最近的三、四個位置中,也吸附Cl的機會是較低的,表示在這些Cl原子吸附的位置中有著較強的排斥位能。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氫,氯zh_TW
dc.subject同時吸附zh_TW
dc.subject空間分佈關聯zh_TW
dc.subjectH , Clen_US
dc.subjectco-adsorbeden_US
dc.subjectsite correlationen_US
dc.title氫、氯在矽表面上同時吸附的空間分佈關聯zh_TW
dc.titleSite Correlation of co-adsorbed H and Cl on Si(100)-2x1en_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department物理研究所zh_TW
Appears in Collections:Thesis


Files in This Item:

  1. 750901.pdf

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.