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dc.contributor.author許晉源en_US
dc.contributor.authorChin-Yuan Hsuen_US
dc.contributor.author吳耀銓en_US
dc.contributor.author藍文厚en_US
dc.contributor.authorYewChung Sermon Wuen_US
dc.contributor.authorWen-How Lanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:51:16Z-
dc.date.available2014-12-12T02:51:16Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT008918818en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/77924-
dc.description.abstract本論文主要是研究氮化物藍光二極體的缺陷和其光電特性。我們會探討熱回火對金屬接觸在氮化鎵二極體上的效應,也會觀察貫穿式差排(threading dislocation)對氮化鎵二極體的影響,並對這兩者間的相互關係進行討論。在金屬接觸的實驗上,我們使用了鎳-金系和氧化銦鎵系金屬作為p型的透明接觸層。在經過不同溫度的熱回火處理之後,我們會量測元件的光電特性,例如特徵性接觸電阻、電流-電壓性質,電致激發光譜和光致激發光譜等等。在微觀結構分析方面,藉由穿透式電子顯微鏡、掃苗式電子顯微鏡的影像與能量散佈光譜,我們可以清楚的觀察到缺陷與差排的存在與形態。因此我們將進一步的討論差排對氮化鎵二極體的影響。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject氮化鎵zh_TW
dc.subject缺陷zh_TW
dc.subject貫穿式差排zh_TW
dc.subject金屬接觸zh_TW
dc.subjectGaNen_US
dc.subjectdefecten_US
dc.subjectthreading dislocationen_US
dc.subjectmetal contacten_US
dc.title缺陷對氮化物藍光二極體光電特性之影響zh_TW
dc.titleEffects of Defects on the Optoelectronic Properties of III-Nitride Based Light Emitting Diodesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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