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dc.contributor.author李冠成en_US
dc.contributor.author汪大暉en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:51:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:51:29Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009311514en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/77986-
dc.description.abstract本篇論文提供以一種新的量測技巧來進行Negative Bias and Temperature Instability (NBTI) 的研究。並且提出一種合理的機制-單電荷的捕捉和釋放現象-來解釋P型氧化層場效電晶體小面積元件下的NBTI效應;以此為基礎,可以求得閘極氧化層的缺陷密度,並解釋大面積元件下的NBTI暫態電流的回復現象。此外,我們也研究了單電荷在不同通道長度下的影響力,指出其對未來元件的重大衝擊。 在第二章中,我們比較了舊型和新型的量測系統,並指出造成舊型量測系統時間延遲的來源,說明了舊型量測技巧會造成大量的誤差。在第三章中,我們首先回顧了NBTI的歷史以及現有的理論架構。藉由對不同大小面積元件進行NBTI-Stress,我們發現了截然不同的現象,以及對閘極電壓、溫度的實驗,我們提出了我們的模型。以此模型,我們可以求得閘其氧化層的缺陷密度,並能還不錯得模擬大面積元件下NBTI的暫態回復電流。在第四章中,我們研究了在不同通道長度下單電荷所造成的電流差值,並配合Random Telegraph Signal (RTS)的實驗,指出其對次世代元件的重大影響。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject負電壓zh_TW
dc.subject加溫zh_TW
dc.subject暫態回覆電流zh_TW
dc.subject單電荷釋放zh_TW
dc.subject熱輔助式穿遂zh_TW
dc.subjectNBTIen_US
dc.subjectrecoveryen_US
dc.subjectsingle charge de-trappingen_US
dc.subjectthermally-assisted tunnelingen_US
dc.title利用單電荷釋放現象研究P型氧化層場效電晶體之加溫加壓回復效應與機制zh_TW
dc.titleInvestigation of NBTI Effect in Oxide pMOSFET from Single Charge Emissionen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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