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dc.contributor.author詹豪傑en_US
dc.contributor.authorHao-Jie Zhanen_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorChung-Yu Wuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:51:40Z-
dc.date.available2014-12-12T02:51:40Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009311560en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/78031-
dc.description.abstract本論文提出一個創新的高頻電路設計概念，電流操作模式。並且設計一個操作頻率在24-GHz電流操作模式射頻前端接收器，透過國家晶片系統設計中心委託台灣積體電路製造股份有限公司以0.13微米互補式金氧半導體製程技術來實現。此射頻前端接收器包含的電路有電流操作模式的低雜訊放大器和電流操作模式的降頻器。整個電流操作模式的射頻接收器已經被完整的設計、製造與量測完成。 量測結果顯示，此射頻前端電路可良好地工作在24-GHz的操作頻率，但由於電路佈局上的疏失，量測結果的效能不如當初所預期。在經由雙束型聚焦離子束的補救之後，射頻前端接收器的功率增易為12.5dB，雜訊指數為13.3dB，1dB增易壓縮點為-15dBm，在1.2V的操作電壓下共消耗了41.5mA。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject電流操作模式zh_TW
dc.subject射頻前端接收器zh_TW
dc.subjectcurrent modeen_US
dc.subjectCMOSen_US
dc.subjectreceiver fornt-enden_US
dc.subject24-GHzen_US
dc.title24GHz互補式金氧半導體電流操作模式射頻前端接收器之設計zh_TW
dc.titleThe design of 24-GHz CMOS current-mode receiver front-enden_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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