釩摻雜鋯酸鍶記憶體薄膜之雙穩態電阻轉換特性

Abstract

近來，由各種材料所研製的各類新式非揮發性記憶受到廣泛的注意。其中，電阻式記憶體由於具有雙穩態電阻值特性，可在同一偏壓下表現出兩種不同電阻值之特性，並且具有高寫入及讀取速度，非破壞性讀取，結構簡單（金屬—絕緣體—金屬之結構）的優點，將有助於達到高密度積體整合，低功率損失的目的。因此電阻式記憶體儼然成為下一世代非揮發性記憶體之候選人。 在本篇論文中，我們使用釩摻雜的鋯酸鍶（鈣鈦礦結構材料）來製作電阻式記憶體。首先，我們將介紹鈣鈦礦結構及基本的電流-電壓雙穩態電阻值轉換特徵。在實驗的部分，我們使用濺鍍法製造不同濃度釩摻雜的鋯酸鍶記憶體薄膜，並以鎳酸鑭作為底電極，鋁作為上電極來形成金屬—絕緣體—金屬的結構。然後將其物理及電學特性將於第三章報告。最後，我們也將歸納出元件的電流傳導機制，並探討不同濃度釩摻雜的影響對元件的影響。