完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 翁銘襄 | en_US |
dc.contributor.author | 周長彬 | en_US |
dc.contributor.author | 吳文發 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:53:39Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:53:39Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009314510 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/78484 | - |
dc.description.abstract | 本論文主要針對電漿處理對於奈米碳管表面性質作一深入研究;第一個主題為不同緩衝層之鎳觸媒經H2電漿前處理後之結構觀察,第二個主題為前處理後之觸媒層與成長奈米碳管的關係研究,第三個主題利用H2、O2、NH3、CF4、CF4/O2五種電漿對整片奈米碳管以及導線孔(via)中成長之奈米碳管進行後處理,觀察處理完成後碳管表面型態與品質的變化。分析部份包括有掃描式電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)、傅利葉轉換紅外線光譜儀(FTIR)與拉曼光譜儀(Raman spectroscopy)。 在鎳觸媒層在經過H2電漿前處理後,由於熱能以及H2電漿的蝕刻效應,呈現島狀化金屬顆粒,接下來成長奈米碳管和觸媒島狀化顆粒有很大的相關性,在較小的前處理觸媒顆粒所成長奈米碳管之管徑會較小,反之較大的前處理觸媒顆粒會得到管徑較大的奈米碳管。碳管在經過不同電漿處理後,H2與CF4電漿對於碳管表面型態並沒有很明顯的影響,O2、NH3、CF4/O2電漿則均有削短碳管,在導線孔中之碳管經O2、NH3電漿後處理有相同結果。 未來碳管導入內連線取代傳統金屬,可利用電漿將碳管削短,提供除了化學物理拋光法(CMP)另一個平坦化的方法。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 奈米碳管 | zh_TW |
dc.subject | 電漿處理 | zh_TW |
dc.subject | carbon nanotube | en_US |
dc.subject | plasma treatment | en_US |
dc.title | 經電漿後處理之奈米碳管性質研究 | zh_TW |
dc.title | the properties of carbon nanotubes post-treated by plasma | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |