統計資料

總造訪次數

檢視
以1.95奈米閘極厚度之65奈米互補式金屬氧化半導體元件實現之具可靠度及容許高壓輸入之雙電源輸出輸入介面電路設計 114

本月總瀏覽

六月 2025 七月 2025 八月 2025 九月 2025 十月 2025 十一月 2025 十二月 2025
以1.95奈米閘極厚度之65奈米互補式金屬氧化半導體元件實現之具可靠度及容許高壓輸入之雙電源輸出輸入介面電路設計 0 0 0 0 1 0 0

檔案下載

檢視
750101.pdf 8

國家瀏覽排行

檢視
中國 100
美國 9
南韓 2
台灣 2

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 95
Menlo Park 7
Beijing 5
Kensington 2
Taipei 2