統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 新穎快閃記憶體結構使用HfO2為電荷捕陷層於SiGe與Si通道之研究 | 111 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 450903.pdf | 10 |
| 450902.pdf | 6 |
| 450905.pdf | 6 |
| 450906.pdf | 5 |
| 450908.pdf | 5 |
| 450904.pdf | 3 |
| 450909.pdf | 3 |
| 450901.pdf | 1 |
| 450910.pdf | 1 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 10 |
| 台灣 | 3 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 92 |
| Beijing | 5 |
| Kensington | 5 |
| Menlo Park | 3 |
| Taipei | 2 |
| Edmond | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Wenzhou | 1 |