標題: 溶膠凝膠氧化鋅薄膜電晶體氧化處理之研究
Study of SolGel ZnO thin film transistor with oxidation treatment
作者: 黃千睿
劉柏村
關鍵字: 溶膠凝膠氧化鋅;SolGel ZnO
公開日期: 2006
摘要: 氧化鋅(ZnO) 是一個透明的半導體,能隙為3.7eV介於可見光不吸收的區域。此透明氧化鋅薄膜電晶體有對光不敏感,高開口率,高載子移動率的特性。
本論文研製之氧化鋅薄膜電晶體是使用溶膠凝膠(sol-gel)的方式來製造,此方式是利用一種旋塗沉積的技術(spin-on-deposition)來形成氧化鋅薄膜,並且可以在常壓常溫下形成氧化鋅薄膜,相較於傳統的真空濺鍍系統(DC Sputter, RF Sputter),旋塗沉積的技術可以節省很多製程上面的成本以及時間。
氧化鋅溶膠凝膠是以醋酸鋅為主要原料,水當作水解劑,先合成溶膠;再將此溶膠加入異丙醇當中攪拌並且升溫到60℃,溶膠中粒子鍵結成網狀的分子態稱為凝膠。
氧化鋅薄膜在旋塗沉積之後,我們使用退火及雙氧水氧化方式來改善氧化鋅薄膜電晶體的特性,並且利用改變溫度、氧氣壓力及摻雜的方式來找出最好條件。我們使用不同的烘烤(Baking)方式來去除水氣和改善薄膜的均勻性,並且找出去除有機鍵的溫度。此外,我們使用摻雜鋯元素方式當作雜質,因而使得氧化鋅容易擁有半導體特性。
我們使用SEM、N&K、FTIR、EDS、AFM、TDS來分析溶膠凝膠氧化鋅薄膜的材料特性,並使用I-V量測裝置(4156)來探討氧化鋅薄膜電晶體的電性趨勢。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009396508
http://hdl.handle.net/11536/80396
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