單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式

標題:	單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 Statistical Models and Characterization of Single Charge Phenomena and Irradiation Effects in Advanced CMOS and SONOS Devices
作者:	汪大暉 WANG TAHUI 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2013
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-173-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/88422 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3086423&docId=415027
顯示於類別：	研究計畫