單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	汪大暉	en_US
dc.contributor.author	WANG TAHUI	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:28:34Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:28:34Z	-
dc.date.issued	2013	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2221-E009-173-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88422	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3086423&docId=415027	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式	zh_TW
dc.title	Statistical Models and Characterization of Single Charge Phenomena and Irradiation Effects in Advanced CMOS and SONOS Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫