高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊紹勳	en_US
dc.contributor.author	Chung Steve S	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:28:38Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:28:38Z	-
dc.date.issued	2007	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2221-E009-301-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88463	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1637452&docId=279606	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	非揮發性記憶體	zh_TW
dc.subject	快閃記憶體	zh_TW
dc.subject	奈米晶粒快閃記憶體	zh_TW
dc.subject	資料保存	zh_TW
dc.subject	耐久性	zh_TW
dc.subject	Nonvolatile memory	en_US
dc.subject	Flash memory	en_US
dc.subject	Nanocrystal Flash Memory	en_US
dc.subject	Data retention	en_US
dc.subject	Endurance.	en_US
dc.title	高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究	zh_TW
dc.title	A SONOS-Type Flash Memory with High Speed Operation and Good Data Retention Capability	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫