標題: 寬頻微波接取技術---子計畫三:關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
Key Silicon-Based MMIC for Broadband Wireless Communications
作者: 孟慶宗
MENG CHINCHUN
國立交通大學電信工程學系(所)
關鍵字: 微波單晶積體電路;射頻積體電路;低雜訊放大器;混頻器;振盪器;巴侖;SiGe BiCMOS;MMIC;RFIC;LNA;oscillator;mixer;Balun;SiGe BiCMOS
公開日期: 2007
摘要: 隨著通訊技術的日新月異,及人們對於通訊資料量的要求,無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前,為了滿足高資料量的需求,寬頻技術通信運用也應運而生, 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT),相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究,最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手,如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數,振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer),我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分,我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大,達到寬頻的要求。在第三年中,將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍,多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下: 第一年:寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年:SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年:頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。
官方說明文件#: NSC95-2221-E009-043-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/88514
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1646089&docId=281608
顯示於類別:研究計畫