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dc.contributor.author李積琛en_US
dc.contributor.authorLEE CHI-SHENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:28:48Z-
dc.date.available2014-12-13T10:28:48Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.govdocNSC96-2113-M009-018-MY2zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/88635-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1434078&docId=256413en_US
dc.description.abstract本計畫的主要目的為合成具有高熱電優值(Figure of Merit, ZT = σS2/κ ; T = temperature; S = Seebeck coefficient; σ = electrical conductivity; κ = thermal conductivity) 的新穎固態化合 物,並對其結構, 物理與化學性質做詳細的解析。這些材料在未來的能源相關的元件,例如 微型發電機與無聲冷/熱循環器具有相當高的潛力。固態化合物具有高熱電優值需要具備低電 阻,低導熱度與高Seebeck 係數。最近的文獻指出半導體材料包含元素週期表上的重元素有 可能具有優異的熱電優值。由於新化合物的結構,組成與物性均無法正確掌握,因此本計畫 將使用理論計算與實驗相互運用,期望能瞭解固態材料的結構與物性的關係,進而提高材料 的熱電優值。初步將尋找具混合填佔的固態化合物的電子結構做基礎研究,使用電子組態的 理論計算(Extended Huckel type)探討其原子位置的相對密力根的總數(relative Mulliken population)與物理性質的關係,並進一步推測新的實驗方向去合成具有特殊的性質的新熱電 材料。主要著眼的目標將針對四與五元素系統的固態化合物。具體研究方向包含以下兩個主 要系統: 1)T-M1-M2-X 與2) M1-M2-M3-X。其中T 為過渡金屬元素;M1、M2 與M3 為第三 至第五族元素;X 為第六族元素(S、Se、Te)。在實驗的部份將從本實驗室先前所合成之化合 物為基礎,針對可能的3 元以及4 元的固態系統做有系統的研究。在實驗的過程將以元素與 二元化合物為起始反應物、利用 1) 真空高溫合成(Tmax = 1050 °C);2) 在Ar 的環境下以高 溫電弧合成 (Tmax~2000 °C);或以 3) 融熔化的鹽類做為溶液在真空、較低的溫度下反應 (Tmax~ 600 °C),使假設的反應進行並產生預期的固態化合物。所合成之化合物將進行晶體結 構分析;熱分析(TG/DTA);元素分析(SEM/TEM/EDS);反射光譜(UVVIS,IR),磁性、導 電、導熱與熱電性質(Seebeck coefficient)的測量以決定是否為好的熱電材料。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title元素選擇性填佔對含第六族元素(硫、硒、碲)固態化合物熱電性質的影響zh_TW
dc.titleSite Preference Study of Metal Chalcogenides for Thermoelectric Applicationsen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學應用化學系(所)zh_TW
顯示於類別:研究計畫