标题: | 适用于薄膜电晶体的高介电系数绝缘层材料之开发 Developing the High-K Gate-Dielectric Materials Suitable for Thin-Film Transistors Applications |
作者: | 邱碧秀 Chiou Bi-Shiou 国立交通大学电子工程学系及电子研究所 |
关键字: | 高介电系数材料;溅镀法;溶胶凝胶法;薄膜电晶体;液晶显示器 |
公开日期: | 2007 |
摘要: | 本计画目标为开发适用于薄膜电晶体闸极工程的高介电系数绝缘层材料,包含二 氧化铪、钛酸锶或钛酸锶钡等,对于这些高介电系数材料掺杂入其他物质,如金属铬、 二氧化矽、三氧化二铝等,预期能改善其能带、电子亲和力、结晶温度或漏电流等材 料物理特性,以符合薄膜电晶体闸极绝缘层的操作需求。本计画将使用溅镀法与溶胶 凝胶法来开发此高介电系数绝缘层,现今溅镀制程在面板厂已广泛地使用在金属导线 的沉积上,与溅镀法比较,溶胶凝胶法可精确地控制高介电系数绝缘层的掺杂成分比 例,且具有快速制程的优点,有助于提升面板厂产线的生产效能。透过以上的研究, 预期具有高介电系数绝缘层的薄膜电晶体,其闸极能有效地控制由复晶矽或非晶矽所 组成的通道区域,降低薄膜电晶体的操作电压,增加驱动能力,制作出高效能的薄膜 电晶体,以追求更高画质与低成本的液晶显示器产品。 |
官方说明文件#: | NSC96-2221-E009-106 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/88636 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1434595&docId=256544 |
显示于类别: | Research Plans |