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dc.contributor.author黃凱風en_US
dc.contributor.authorHUANG KAI-FENGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:28:50Z-
dc.date.available2014-12-13T10:28:50Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.govdocNSC96-2112-M009-027-MY3zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/88663-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1419000&docId=253144en_US
dc.description.abstract本計劃為一新提三年計劃,我們將探討光與物質作用下所形成之微共振腔極化激子(microcavity polariton)及 indirect excitons in coupled quantum wells之特性,並探討其形成波色-愛因斯坦凝聚態之可能性(Bose-Einstein Condensation)。微共振腔極化激子及Indirect Excitons均是目前最被看好可於數K 之溫度下形成固態BEC。微共振腔極化激子係因半導體量子井內激子與共振腔光子耦合成為等效質量極小之半光/半物質Quasi-particle,而Indirect Excitons則是因電子與電洞分別在不同但又耦合之半導體量子井內,生命期大幅增長之故。我們將使用MBE長晶系統成長微共振腔結構及coupled quantum wells並製作測試元件。量子井激子發光波長與微共振腔模態之detuning 將是實驗重要參數,嘗試在低溫下與pumping 配合找到形成固態BEC之條件。我們會特別注意大角度圓環狀之輻射及其近場coherent 特性,並觀察其是否有臨界點及特定之光偏振態出現。這些特性都是與BEC波函數直接相關,故可以其作為BEC出現之重要檢驗依據。以我們過去在VCSEL 及相關coherent patterns 多年之經驗,相信必然可在microcavity polariton及Indirect Excitons方面獲得不錯之成果。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject微共振腔極化激子zh_TW
dc.subject波色-愛因斯坦凝聚zh_TW
dc.subjectIndirect Excitonszh_TW
dc.title化合物半導體微共振腔偏極化激子之光電研究zh_TW
dc.titleAn Optical Study of Semiconductor Microcavity Exciton Polaritonsen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理學系(所)zh_TW
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