奈米CMOS模型研發以探討應力工程與佈局效應對於高頻特性與寬頻雜訊之影響(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	郭治群	en_US
dc.contributor.author	Guo Jyh-Chyurn	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:03Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:03Z	-
dc.date.issued	2014	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST103-2221-E009-184	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88839	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8349844&docId=444927	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	奈米CMOS模型研發以探討應力工程與佈局效應對於高頻特性與寬頻雜訊之影響(III)	zh_TW
dc.title	Nanoscale CMOS Modeling for Strain Engineering and Layout Dependent Effects on High Frequency Performance and Broadband Noise (III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫