完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 劉柏村 | en_US |
dc.contributor.author | LIU PO-TSUN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:29:08Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:29:08Z | - |
dc.date.issued | 2007 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC96-2221-E009-130-MY3 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/88908 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1456363&docId=260523 | en_US |
dc.description.abstract | 本計畫將利用三年的時間來完成『高效能-具記憶體特性之多重奈米線薄膜電晶體』之製作與物理 機制研究。近年來,主動式顯示面板技術蓬勃發展,為了提高面板的應用價值並降低製作成本,因此 產業界期待發展出同時具有記憶體元件與驅動電路的系統整合型面板(system on panel; SOP)。由於複 晶矽薄膜電晶體具有高的驅動電流,因此可取代外接式驅動電路整合於顯示面板中,以做為面板週邊 的驅動元件。在本研究計畫中,將發展一種可應用於系統面板整合性的前瞻顯示元件技術,製作出能 集畫素開關、驅動與記憶體特性於一身的高效能奈米線顯示電晶體,如此將可大大簡化系統面板技術 中元件(即:驅動開關元件與記憶體元件)製程整合的複雜性,可使顯示面板同時具有驅動、讀取及儲存 等功能,有效達到系統整合型面板之目的。在研究中,我們也將應用高介電常數薄膜於電晶體元件中, 藉此提高顯示元件的記憶體功效與電晶體驅動特性;除此之外,我們將發展一種創新的薄膜缺陷鈍化 技術,即:利用超臨界流體(supercritical fluid)技術,在低溫下對多晶矽薄膜電晶體元件內的缺陷進行 鈍化(passivation)處理,可有效取代傳統高溫退火(annealing)及電漿(plasma)的製程,進一步提升顯示元 件特性以及縮短製程時間與製造成本。最後,在計劃中也將對此高效能-具記憶體特性之顯示電晶體進 行操作上的可靠性研究與物理機制探討,以瞭解實際應用於系統面板中可能遭遇到的問題。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 複晶矽薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 記憶體元件 | zh_TW |
dc.subject | 奈米線 | zh_TW |
dc.subject | 超臨界流體技術 | zh_TW |
dc.subject | poly-Si TFT | en_US |
dc.subject | nonvolatile memory device | en_US |
dc.subject | nanowire | en_US |
dc.subject | supercritial fluid technology. | en_US |
dc.title | 具系統面板整合性之前瞻顯示電晶體元件製作與研究 | zh_TW |
dc.title | Integration of Display Devices for System on Panel Application. | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 國立交通大學光電工程學系(所) | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |