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dc.contributor.author莊紹勳en_US
dc.contributor.authorChung Steve Sen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:29:10Z-
dc.date.available2014-12-13T10:29:10Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.govdocNSC96-2628-E009-168-MY3zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/88950-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1461765&docId=261856en_US
dc.description.abstract為了克服CMOS 元件的微縮極限,90 奈米以下的CMOS 技術上,運用各種應力來增 強通道載子移動率,可以大幅提昇驅動電流大小。這種應力結構,其有效的方法分為 二類,其一是單向應力(uniaxial strain),屬於一維的形變,以利用製程為之;另一則是 biaxial strain,屬二維的形變,最普遍的方法是將矽通道層長在矽鍺層(SiGe)上面。我 們最近的研究發現,載子移動率提昇越多,元件可靠性將越差,uniaxial strain 或biaxial strain 對電流的提昇,則有不同的效果。本計劃的目的有二:其一是探討各種不同strain 對元件電流提昇的影響,該類元件的彈道傳輸(ballistic transport)特性,另一則是傳輸特 性與可靠性間的關係,以獲致高元件性能及高可靠性的最佳化設計。 本計劃為期三年。第一年目標是研製各種strain(即uniaixal strain、biaxial 及二者組合的 multiple-stressor)的nMOS 元件,進而探討其傳輸特性的量測方法研究。首先,我們須 設計製作超薄閘氧化層(100)-surface nMOS 元件一批,採用不同的strain 方式。其次, 量化元件傳輸特性的主要參數(transport parameter)(入射速度及反射係數),以建立傳 輸特性參數,並且探討該參數與可靠性受應力影響的程度。 第二年計劃,我們將採用不同的strain 結構於pMOS 元件的製作。運用第一年的研究 方式,首先,我們需設計製作各種strain 結構(110)-surface pMOSFET 元件,延續第一 年的transport 理論,實驗計算transport 參數,可靠性量測,尤其探討pMOS 可靠性的 關鍵,即負偏壓不穩特性(NBTI)可靠性。最後則研究應力對於傳輸特性參數及元件可 靠性的影響。探討何種應力結構有較佳的傳輸參數及優異的可靠性。 第三年計劃,運用前二年製作的元件,探討multiple-stressor 元件的傳輸參數及可靠性 建立transport 參數及可靠性的技術藍圖(technology roadmap),nMOS 與pMOS 元件的 性能與可靠性設計準則及roadmap。這二項成果可以提供未來ITRS roadmap 討論時參 考。將有助於建立下一世代奈米CMOS 元件採用混合式基片(hybrid substrate) CMOS 技術時,strain 結構CMOS 元件的最佳設計準則。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject應力工程zh_TW
dc.subjectCMOS 元件可靠性zh_TW
dc.subject彈道傳輸zh_TW
dc.subject單向應力zh_TW
dc.subject雙向應力zh_TW
dc.subject混合式基片CMOSzh_TW
dc.subjectstrain engineeringen_US
dc.subjectCMOS device reliabilityen_US
dc.subjectuniaxial strainen_US
dc.subjectbiaxial strainen_US
dc.subjecthybridsubstrate CMOS technology.en_US
dc.title混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究zh_TW
dc.titleStudy of Various Strain Effects on the Carrier Transport and Reliability in Hybrid Substrate Nanoscale CMOS Technologyen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系及電子研究所zh_TW
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