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dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.authorChen Chihen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:29:14Z-
dc.date.available2014-12-13T10:29:14Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.govdocNSC96-2628-E009-010-MY3zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/89020-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1466740&docId=263042en_US
dc.description.abstract因近年來環境保護的考量,在微電子構裝工業中,無鉛銲錫逐漸地取代傳統的有鉛 銲錫。以使得而在大部份的無鉛銲料中,錫的成分比例皆超過95%,造成錫晶鬚的議題 變得很重要。但要研究錫晶鬚成長並不容易,主要是溫度太低(低於30°C),錫晶鬚成長 非常慢,溫度太高(高於70°C),應力被釋放而不會成長。對此議題我們發展出利用電流 驅動錫晶鬚成長。先期研究發現我們可以在室溫到100°C皆能在數十小時到數百小時內 成長錫晶鬚。因此,此方法能提供錫晶鬚成長的加速測試。對於錫晶鬚成長機制能夠有 系統地研究。 我們將以國際合作的方式來執行此計畫,與美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)材 料系的杜經寧教授合作,因為杜教授在這方面有幾十年的經驗,以及他們可以用美國 Advanced Light Source 國家實驗室的同步輻射(synchrotron radiation)來量測小區域 的應力大小及分佈。本計劃中將於第一年裡,將分析錫鉛銲錫薄膜合金試片,而於第一 年中建立起分析錫鉛銲錫晶鬚的成長速率。第二年將開始研究無鉛銲錫的晶鬚成長,與 其應力分佈。除了實驗的觀測外,也將會與杜教授合作,以理論來推導晶鬚的成長速率。 爾後,在本國合計劃的第二年裡,杜教授團隊將觀測薄膜通電前後的陽極端壓應力變化 與其對晶鬚成長的影響。為分析晶鬚成長之活化能,於本計畫的第三年裡將主要對於薄 膜不同溫度下通電前後的陽極端壓應力變化與其對晶鬚成長的影響。由於後學已經與杜 教授有多年的合作經驗,並共同發表多篇優質期刊論文,我們將會密切合作,相信將會 很成功並對錫晶鬚成長機制有更深入的瞭解。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject錫晶鬚zh_TW
dc.subject電子封裝zh_TW
dc.subject電遷移zh_TW
dc.subject銲錫zh_TW
dc.subjectSn whiskeren_US
dc.subjectelectronic packagingen_US
dc.subjectelectromigrationen_US
dc.subjectsolder.en_US
dc.title以電流驅動錫晶鬚的成長之研究zh_TW
dc.titleStudy of Sn Whisker Growth Driven by Electrical Currenten_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學材料科學與工程學系(所)zh_TW
顯示於類別:研究計畫