高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	曾俊元	en_US
dc.contributor.author	TSENG TSEUNG-YUEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:20Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:20Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2221-E009-278	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89149	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309524&docId=241992	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III)	zh_TW
dc.title	Investigations of High-K SrTiO/sub 3/-Base Gate Dielectrics and Devices Fabrication and Their Structures and Properties(III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫