具有形變通道之互補式金氧半電晶體載子穿輸與可靠性分析

Abstract

本計畫是探討局部(單軸)形變矽通道之金氧半元件製作與特性分析，NMOSFET局部形變是以利用LPCVD沉積氮化矽產生伸張應力，而PMOSFET則是利用PECVD沉積具有壓縮應力氮化矽，以及利用矽鍺磊晶源汲極產生壓縮應力。另外，本計畫將利用F-N與直接穿透電流探討應力導致能階窄化的效應。本計畫也將探討形變應力對移動率，載子通道背向散射的影響，熱載子效應以及負偏壓溫度不穩定性分析；此外，氮化矽之沉積條件與成份、高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽化反應、矽鍺內摻質擴散率的改變、矽鍺源汲極漏電流的分析，製程分析問題與載子移動率的關係，亦涵蓋在計畫的研究內。