砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.contributor.author	CHEN JENN-FANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:26Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:26Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2112-M009-010	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89295	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1274436&docId=233166	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(II)	zh_TW
dc.title	Effects of Strain Relaxation and Material Intermixing on the Production of Electrically Active Defects in Inas Self-Assembled Quamtum Dots(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫