氮銦化鎵/氮化鎵量子井及量子點結構製備及光電物理性質研究

標題:	氮銦化鎵/氮化鎵量子井及量子點結構製備及光電物理性質研究 Epitaxy and Characterizations of InGaN/GaN Quantum Well and Dot Structures
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 國立交通大學電子物理學系
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2112-M009-061
URI:	http://hdl.handle.net/11536/89586 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=545415&docId=100393
Appears in Collections:	Research Plans

Files in This Item:

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.