HBT 電晶體小訊號Pi模型之解析式的解法

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	胡樹一	en_US
dc.contributor.author	Hu Shu-I	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:48Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:48Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2221-E009-315	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89670	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309657&docId=242028	en_US
dc.description.abstract	這個研究將探討如何決定HBT電晶體小訊號Pi模型, 當電晶體基極與集極之間的電容,以及基極擴散電阻, 一旦可表達為明確的數學型式, 我們期待能架構此HBT電晶體小訊號Pi模型的非數?解法. 因為目前只須多用一個測試電路來決定輸出入端的電容, 此種用解析式的方法決定HBT電晶體小訊號Pi模型, 將是一個簡潔有效的方法. 我們計劃檢視決定每一個參數時所根據的假設, 最後的結果並將與原始資料互相比較,以資確認.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	HBT 電晶體小訊號Pi模型之解析式的解法	zh_TW
dc.title	A Fully Analytical Approach on the Determination of HBT's Small-Signal Pi Model	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
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