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dc.contributor.author謝宗雍en_US
dc.contributor.authorHSIEH TSUNG-EONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:30:26Z-
dc.date.available2014-12-13T10:30:26Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.govdocNSC94-2216-E009-026zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/90236-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1145295&docId=219807en_US
dc.description.abstract本計劃研究以上一年期計畫對零維奈米材料之研究成果為基礎,延伸其應用至光記錄 媒體與氧化鋅(ZnO)白光二極體之開發。在光記錄媒體部分,具備高穿透率變化之 奈米硒化鎘(CdSe)與釩氧化物半導體摻雜微晶玻璃(SDG)薄膜之結構與性質將被 最佳化以應用於容積光碟與超解析效應,以無機或有機技術製備零維奈米材料以應用 於新型光開關/遮罩層材料之方法、界面改質、性質最佳化以及含新型材料之光碟製作 與訊號品質分析亦將被研究。氧化鋅白光二極體部分將以能發白光的氧化鋅SDG 薄膜 為基礎,研究內容涵蓋奈米粉體之製作、分散與靶材製作、氧化鋅摻雜技術與磊晶成 長等,所得成果配合白光元件理論之模擬與設計,以完成氧化鋅白光二極體之製作。 期望藉本計畫之執行,能對光資訊產業關鍵性材料與產品技術能有所貢獻,對奈米材 料之應用亦能有所實現。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject零維奈米材料zh_TW
dc.subject光記錄媒體zh_TW
dc.subjectZnO 白光二極體zh_TW
dc.title氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究-含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(I)zh_TW
dc.titleA Study of Optical-Electronic Properties of Materials Containing Nano-Sized Particles and Their Applications(I)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學材料科學與工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫