完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 謝宗雍 | en_US |
dc.contributor.author | HSIEH TSUNG-EONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:30:26Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:30:26Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC94-2216-E009-026 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/90236 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1145295&docId=219807 | en_US |
dc.description.abstract | 本計劃研究以上一年期計畫對零維奈米材料之研究成果為基礎,延伸其應用至光記錄 媒體與氧化鋅(ZnO)白光二極體之開發。在光記錄媒體部分,具備高穿透率變化之 奈米硒化鎘(CdSe)與釩氧化物半導體摻雜微晶玻璃(SDG)薄膜之結構與性質將被 最佳化以應用於容積光碟與超解析效應,以無機或有機技術製備零維奈米材料以應用 於新型光開關/遮罩層材料之方法、界面改質、性質最佳化以及含新型材料之光碟製作 與訊號品質分析亦將被研究。氧化鋅白光二極體部分將以能發白光的氧化鋅SDG 薄膜 為基礎,研究內容涵蓋奈米粉體之製作、分散與靶材製作、氧化鋅摻雜技術與磊晶成 長等,所得成果配合白光元件理論之模擬與設計,以完成氧化鋅白光二極體之製作。 期望藉本計畫之執行,能對光資訊產業關鍵性材料與產品技術能有所貢獻,對奈米材 料之應用亦能有所實現。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 零維奈米材料 | zh_TW |
dc.subject | 光記錄媒體 | zh_TW |
dc.subject | ZnO 白光二極體 | zh_TW |
dc.title | 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究-含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(I) | zh_TW |
dc.title | A Study of Optical-Electronic Properties of Materials Containing Nano-Sized Particles and Their Applications(I) | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學材料科學與工程系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |