完整后设资料纪录
| DC 栏位 | 值 | 语言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 张立 | en_US |
| dc.contributor.author | CHANG LI | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:30:48Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:30:48Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | NSC94-2216-E009-024 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/90462 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1145289&docId=219805 | en_US |
| dc.description.abstract | ZnO 宽能隙氧化物半导体(Eg = 3.37 eV)，具有优越的光电特性。在光电元件应用上之 半导体材料，必须具有磊晶与能隙调整两者之材料成长之技术。在ZnO 能隙调整方面， 一般以添加CdO(Eg = 2.2 eV) 使能隙降低，添加MgO(Eg ~ 7.8 eV)使能隙增大，然而 Cd 为有毒之物质，加入MgO 只能增至~ 4.0 eV。本计画拟研究替代之物质，使能隙能 从2.8 eV –4.5 eV，如此可强化ZnO 在光电元件的应用。根据相图、晶体结构、离子 尺寸与能隙等因素，初步分析以CuO(Eg = 1.3-1.7 eV)、Cu2O (Eg ~ 2 eV)、CoO (Eg = 2.7 eV)、FeO(Eg = 2 eV)、PdO(Eg ~0.8- 2.6 eV)、VO(Eg = 0.3 eV)加入ZnO 或ZnCoO 最有 可能降低能隙；加入CaO(Eg = 6.9-7.2 eV)、BaO(Eg =4.0-6.5 eV)、SrO(Eg = 5.7 eV)、 Al2O3(Eg = 8.8 eV)加入至ZnO 或是ZnMgO 中可调高能隙。磊晶是光电元件制程中极其 重要的关键，本计画拟以三年时间研究上述能隙调整氧化物半导体之磊晶制程，第一 年与第二年采用雷射蒸镀法(pulsed laser deposition，PLD)，找出合适之组成，第二年以 化学气相沉积法(CVD)进行ZnMgO 三元系列之磊晶镀膜，第三年研究ZnCoO、ZnFeO、 ZnMXO (M=Co, Mg；低能隙X = Cu, Fe, Pd, V； 高能隙X = Ca, Ba, Sr, Al,Ga) 四元 系列之磊晶CVD 镀膜。除此之外，将研究CVD 沉积过程中孕核与成长对磊晶、缺陷 形成与性质的影响。 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 行政院国家科学委员会 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 氧化锌掺杂改质与奈米结构之制程与光电特性研究-氧化锌光电半导体能隙调整及磊晶成长研究(I) | zh_TW |
| dc.title | Study of Bandgap Tuning and Epitaxial Growth of Zinc Oxide Semiconductors(I) | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 交通大学材料科学与工程系 | zh_TW |
| 显示于类别： | 研究计画 | |
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