标题: 利用雷射剥离法制作高导热性氮化镓微波高功率元件
Frabrication of High Thermal Conductivity AlGaN/GaN HEMT Microwave High Power Devices Using Laser Lift-Off Process
作者: 张翼
交通大学材料科学与工程系
关键字: 卫星通讯;微波通讯;氮化镓;高功率;磊晶;高速电子元件;高频;有机金属化学气相沈积;雷射剥离;晶圆接合;基地台;空气桥;模拟;等效电路
公开日期: 2005
摘要: AlGaN/GaN HEMT 为功率电晶体之明日之星,但其高功率密度需有极佳导热性之基板
相配合,才能充分展现其高功率特性。本计画主要研究AlGaN/GaN HEMT 微波高功率元
件,并结合雷射剥离制程将元件磊晶层重新与氮化铝基板结合,以获得较佳的散热特
性,改善元件之功率输出特性及操作寿命。由于氮化铝及氮化镓极佳之基本材料特性如
宽能隙(分别为6.2 eV 及3.4 eV)、且氮化镓具有高饱和漂移速率(3×107 ㎝/sec)和
高崩溃电场强度(5×106 V·㎝-1)…等等,使得氮化铝镓/氮化镓异质接面极适合用在
高频高功率电子元件的制作上。本计划的研究包含AlGaN/GaN HEMT 高功率电晶体之制
作,雷射剥离制程的开发,以及元件特性之分析。将分别以有机金属化学气相沈积法磊
晶机,成长AlGaN/GaN HEMT 磊晶结构;完成元件之绝缘、欧姆接触、次微米闸极、钝
化层沈积及空气桥制作;最后结合雷射剥离制程,将元件磊晶层和氮化铝基板接合以取
得较佳之元件热阻特性,并以直流及高频量测分析对元件功率特性作分析。计画最后预
计完成操作在14GHz、7.5W/mm 的AlGaN/GaN HEMT 高功率元件,并与瑞典Chalmers 大
学合作建立AlGaN/GaN HEMT 高频等效电路模型。
官方说明文件#: NSC94-2215-E009-030
URI: http://hdl.handle.net/11536/90618
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143899&docId=219380
显示于类别:Research Plans


文件中的档案:

  1. 942215E009030.pdf

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