半導體氮(磷)化物化學蒸鍍中的自由基及中間物之結構,動力學及能階(III)(中加國合計畫)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李遠鵬	en_US
dc.contributor.author	LEE YUAN-PERN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:32:02Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:32:02Z	-
dc.date.issued	2004	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC93-2113-M009-018	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/91327	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=981064&docId=182710	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導體氮(磷)化物化學蒸鍍中的自由基及中間物之結構,動力學及能階(III)(中加國合計畫)	zh_TW
dc.title	Chemical Vapor Deposition of Semiconductor Nitrides and Phosphides:Structure,Kinetics,and Energetics of Radical s and Intermediates (III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學應用化學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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