完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.authorChen Chihen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:32:04Z-
dc.date.available2014-12-13T10:32:04Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.govdocNSC93-2216-E009-030zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/91358-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1028150&docId=195627en_US
dc.description.abstract隨著消費電子產品的小型化,電子封裝中用的銲錫即將面臨一個嚴重的 可靠性(reliability)問題:電遷移。本計畫預計研究如何減緩銲錫電遷移的 方法。我們發現適當的熱時效會提升銲錫抗電遷移能力。因此將會先把覆 晶銲錫接點在150 °C 退火不同的時間後,量測其電遷移failure time.同時, 也將使用矽UV 形槽(UV-grove) 銲錫試片,量測無退火及有退火對其電遷 移failure time 的影響。本計畫將使用SnPb,及SnAg、、SnSb、以及SnAgCu 等四種銲錫,進行銲錫電遷移的量測及研究。 第一年將針對此四種銲錫的覆晶凸塊試片進行研究。預計在不同的高溫 時效時間和溫度對銲錫的抗電遷移的影響。無退火及有退火對其電遷移 failure mechanism 影響將會是另一個重點。適當的熱處理將會提高銲錫的 抗電遷移能力。 第二年的研究重點將針對此四種銲錫的的UV 形槽(UV-grove)試片進行 研究。預計研究在不同的高溫時效時間和溫度對銲錫的抗電遷移的影響。 預計對通電後的UV 形槽(UV-grove)結構進行SEM 觀測銲錫在陰極和陽極 附近的變化,我們預計把此抗電遷移的機制找出來。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電遷移zh_TW
dc.subject覆晶銲錫zh_TW
dc.subject微電子封裝zh_TW
dc.title覆晶銲點性質變化與電流流動間交互之影響---子計畫二:以熱時效提升銲點之抗電遷移能力zh_TW
dc.titleEnhancing Electromigration Resistance of Solder Joints by Thermal Agingen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學材料科學與工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 932216E009030.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。