完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
dc.contributor.author | Chen Chih | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:32:04Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:32:04Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC93-2216-E009-030 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/91358 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1028150&docId=195627 | en_US |
dc.description.abstract | 隨著消費電子產品的小型化,電子封裝中用的銲錫即將面臨一個嚴重的 可靠性(reliability)問題:電遷移。本計畫預計研究如何減緩銲錫電遷移的 方法。我們發現適當的熱時效會提升銲錫抗電遷移能力。因此將會先把覆 晶銲錫接點在150 °C 退火不同的時間後,量測其電遷移failure time.同時, 也將使用矽UV 形槽(UV-grove) 銲錫試片,量測無退火及有退火對其電遷 移failure time 的影響。本計畫將使用SnPb,及SnAg、、SnSb、以及SnAgCu 等四種銲錫,進行銲錫電遷移的量測及研究。 第一年將針對此四種銲錫的覆晶凸塊試片進行研究。預計在不同的高溫 時效時間和溫度對銲錫的抗電遷移的影響。無退火及有退火對其電遷移 failure mechanism 影響將會是另一個重點。適當的熱處理將會提高銲錫的 抗電遷移能力。 第二年的研究重點將針對此四種銲錫的的UV 形槽(UV-grove)試片進行 研究。預計研究在不同的高溫時效時間和溫度對銲錫的抗電遷移的影響。 預計對通電後的UV 形槽(UV-grove)結構進行SEM 觀測銲錫在陰極和陽極 附近的變化,我們預計把此抗電遷移的機制找出來。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 電遷移 | zh_TW |
dc.subject | 覆晶銲錫 | zh_TW |
dc.subject | 微電子封裝 | zh_TW |
dc.title | 覆晶銲點性質變化與電流流動間交互之影響---子計畫二:以熱時效提升銲點之抗電遷移能力 | zh_TW |
dc.title | Enhancing Electromigration Resistance of Solder Joints by Thermal Aging | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學材料科學與工程系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |