應用在Ku波段之摻雜及非摻雜氮化鎵高功率微波元件之製作及高頻特性量測與比較(II)

標題:	應用在Ku波段之摻雜及非摻雜氮化鎵高功率微波元件之製作及高頻特性量測與比較(II) Comparision of the Properties of Delta-doped and Un-doped Gallium Nitride High Power Microwave Devices for Ku Band Application(II)
作者:	張翼交通大學材料科學與工程系
公開日期:	2004
官方說明文件#:	NSC93-2215-E009-019
URI:	http://hdl.handle.net/11536/91569 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026657&docId=195169
顯示於類別：	研究計畫