完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author林木獅en_US
dc.contributor.authorLIN MU-SHIHen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:32:30Z-
dc.date.available2014-12-13T10:32:30Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.govdocNSC93-2216-E009-020zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/91584-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1028120&docId=195617en_US
dc.description.abstract(1)合成Scheme I 所示化合物 I、II、III、IV、V,並分別以1H NMR、13C NMR、 FTIR 鑑定結構式。 (2)調配及製程研究。將上述化合物以當量比 (a) IV/1=1/1 及1/0.8 (b) IV/III-1/1 及1/0.8 (c)商品料bisphenol-F epoxy (830LVP)/I=1/1 及1/0.8 (d) 830LVP/III=1/1 及1/0.8 充分混摻,以刮刀製成簿片硬化後,續做下述探 討: (3)動態DSC,以選擇最佳硬化.度,順便探討交聯動力學,以比較上述6 種材料 的加工特性。 (4)動態機械性能(DMA)以此較材料之柔軟度及強.性,並評估材料之相容性 (Compatibility)。 (5)熱分析(DSC、TGA、TMA)測試材料之柔軟度、熱安定性、熱膨脹係數。 (6)機械性質(Tensile-elongation、impact resistance)以測試材料之..性及 抗衝擊性能。 (7)均質.(homogeneity)以Carbon-mapping SEM, Oxygen-mapping SEM 及 Silicone-mapping SEM 觀測材料之均質性。 (8)材料之成膜性 (9)材料之介電常數。 (10) 材料之抗酸、抗鹼性 (11) 材料之黏.性 (12) 鑽孔牲 (13) 抗焊性 (14)綜合上述的特性探討,選擇最佳化的配方,並加入適量添加特,製作覆晶高 密度的印刷電路板。 第2 年工作如下: 除續繼改良第1 年工作外,調製4 官能基矽氧烷及亞醯胺改質環氧樹脂V 以 當量比(a)V/I=1/1 及1/0.8(b)V/III=1/1 及1/0.8 混摻,並如第1 年做各稱探討, 試製覆晶高密度印刷電路板。最後,綜合第1 年及第2 年工作,選擇若干最佳化 之配方與製程,實做成品,完成本計劃之研發工作。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject覆晶zh_TW
dc.subject印刷電路板zh_TW
dc.subject介電常數zh_TW
dc.subject均質性zh_TW
dc.subject柔軟性zh_TW
dc.subject強.性zh_TW
dc.subject鑽孔性zh_TW
dc.subject抗焊性zh_TW
dc.title矽氧烷及亞醯胺改質之環氧樹脂做為高密度印刷電路板材料之研究(I)zh_TW
dc.titleResearch on the Siloxane and Imide Modified Epoxies for High Density Printed Circuit Boards(I)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學應用化學研究所zh_TW
顯示於類別:研究計畫