半導體奈米結構之成長與光電特性研究(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	周武清	en_US
dc.contributor.author	CHOU WU-CHING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:32:36Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:32:36Z	-
dc.date.issued	2004	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC93-2112-M009-031	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/91638	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=979807&docId=182322	en_US
dc.description.abstract	本計畫主要是利用分子束磊晶技術成長半導體奈米結構，以三年時間研究(一)磊晶動力學(二)半導體奈米結構之光電特性及(三)開發自旋光電元件研究自旋動力學。一、磊晶動力學: 在奈米結構之磊晶過程中將調整基板溫度、分子束流率、緩衝層厚度與應變等磊晶參數及磊晶腔內熱回火溫度與時間，並且以選擇性磊晶技術與表面形貌研究，嘗試對半導體奈米結構之磊晶機制做全盤瞭解，以完全掌控奈米結構之大小尺寸、密度、形狀及有次序排列。二、半導體奈米結構之光電特性: 以掃瞄式電子力顯微術及掃瞄式近場光學顯微術研究單一半導體奈米結構之充電與記憶過程及其發光特性。三、開發自旋光電元件研究自旋動力學: 利用分子束磊晶技術將磁性半導體或非磁性半導體奈米結構製作成自旋幫浦、自旋閥、自旋電晶體等元件，並且以具時間解析之磁光頻譜技術研究自旋載子在傳輸時的自旋蛻變。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	分子束磊晶	zh_TW
dc.subject	半導體奈米結構	zh_TW
dc.subject	磊晶動力學	zh_TW
dc.subject	自旋光電元件	zh_TW
dc.subject	自旋動力學	zh_TW
dc.subject	磁光頻譜技術	zh_TW
dc.title	半導體奈米結構之成長與光電特性研究(I)	zh_TW
dc.title	Growth and Opto-Electronic Properties of Semiconductor Nano-Structures(I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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932112M009031.PDF

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