製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II)

標題:	製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II) Deposition and Characterization of Compound Oxide Films for High-k CMOS Gate Dielectrics and Spintronics Applications (II)
作者:	趙天生 TIEN-SHENGCHAO 國立交通大學電子物理學系
公開日期:	2003
官方說明文件#:	NSC92-2215-E009-068
URI:	http://hdl.handle.net/11536/92015 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873566&docId=167364
顯示於類別：	研究計畫