新型低溫多晶矽薄膜電晶體結構設計及其製作方法與可靠性研究(I)

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	張國明	en_US
dc.contributor.author	CHANG KOW-MING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:35Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:35Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC92-2215-E009-065	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92149	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873556&docId=167361	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新型低溫多晶矽薄膜電晶體結構設計及其製作方法與可靠性研究(I)	zh_TW
dc.title	Fabrication and Reliability of Novel Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistors Structure Design (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
Appears in Collections:	Research Plans

APA	張., & CHANG K. (2003). 新型低溫多晶矽薄膜電晶體結構設計及其製作方法與可靠性研究(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873556&docId=167361.
Bibtex	@article{2003, title={新型低溫多晶矽薄膜電晶體結構設計及其製作方法與可靠性研究(I)}, author={張國明 and CHANG KOW-MING}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873556&docId=167361}, year={2003}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/92149?mode=full}, }