應用於射頻積體電路的矽鍺雙載子電晶體模型

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	孟慶宗	en_US
dc.contributor.author	CHINCHUNMENG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:34:21Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:34:21Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC91-2622-E009-033-CC3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92676	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=792300&docId=152186	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	應用於射頻積體電路的矽鍺雙載子電晶體模型	zh_TW
dc.title	SiGe Bipolar Transistor Model for RFIC Applications	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電信工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫