用晶圓接合來剝離懸空側向成長的氮化鎵磊晶層

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳耀銓	en_US
dc.contributor.author	YEWCHUNG SERMONWU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:34:47Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:34:47Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC91-2622-E009-034-CC3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92987	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=792303&docId=152187	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	用晶圓接合來剝離懸空側向成長的氮化鎵磊晶層	zh_TW
dc.title	Lift off GaN Pseudo Epitaxy Layer by Wafer Bonding	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學材料科學與工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫